
台湾ASEMI肖特基二极管MBR30150CT全部采用:进口高性能俄罗斯Mikron扩散高抗击芯片,内置122Mil大规格整流芯片;确保平均最大输出30A的电流;反向耐压值达到150V;反向恢复时间5ns。MBR30150CT高品质的铜材质镀锡引脚与高品质的SIO2塑封硅胶,台资工厂封装测试。同时引进台湾健鼎一体化生产测试线,确保每一批产品都合格。

MBR30150CT肖特基相关参数如下:
MBR30150CT电压Vrrm: 150V
MBR30150CT电流If平均:30A
MBR30150CT正向电压Vf最大:0.89V
MBR30150CT电流,Ifs最大:200A
MBR30150CT工作温度范围:-40°C to +150°C
MBR30150CT封装形式:TO-220/TO-220F/ITO-220
MBR3015CT反向恢复电流,Irrm: 10UA

肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) ,它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为型半导体。

肖特基二极管的作用是单相导电特性的,利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。这也就是我们常常说的肖特基二极管的作用原理。

肖特基二极管的主要特点是具有较低的正向压降(0.3V至0.6V);另外它是多子参与导电,这就比少子器件有更快的反应速度。肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管,以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
MBR30150CT肖特基类型:高结温芯片,品牌:ASEMI,应用市场:电源,小家电,LED电源,各式充电器,开关电源,LED显示屏等。
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