整流桥RCD型吸收电路的优势和开关过电压的保护方法（四）专“芯”让您更放心

RCD型吸收电路电容估算方法:

整流桥在电路最大负荷时，C_i的取值要保证在二极管关断时间内能够吸收掉的一部分反冲能量，即在该时间内电容C_i电压u_Ci从u_s上升到u_off。所以有：u_off期望二极管承受的最大反压800V。
仍取u_off=800V，I=50A，所以取C_i≈0.25"F。R₁的取值要确保在二极管C_i的1/3的导通时间内。



整流桥RCD型吸收电路电容充电过程

假设 VD_R1和 VD_R4导通，u_C1=u_s。当 VD_R1关断时， u_C1（0⁺）=u_s，反冲电压向C₁充电，由于箝位二极管VD_S1的存在，充电电流从VD_S1流过，不会经过R₁。充电时的等效电路如图 5b所示。

可以看出，电感 L_p的储能全部用来升高 u_C1，C₁越小，尖峰电压越大。



整流桥RCD型吸收电路电容放电过程

全部放电，所以 R₁必须满足： R_iC_i≤¹₃t_on。当VD_R1再次导通时，C₁通过电源和负载放电，此时VD_R1截止，通过R₁导通。当u_C1降至与u_s相等时，放电完毕，其等效电路图如图5c所示。
放电期间，可以认为负载是个恒流源，变压器次级是个恒压源，因此可不计L_p对放电的影响，可将其看作是RCD电路的放电过程。这里取 t_on=25"s，所以 R_i≤100/3Ω ，取 R₁=30Ω，图 6示出实验结果。



输入电压为 20V，如波形图所示，尖峰电压为 36V。实验表明，RCD吸收电路达到了预期效果，且吸收电阻温度明显低于 RC吸收电路。

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