半导体工艺流程是什么样子的？ASEMI半导体为您详解（三）

上周ASEMI半导体为您介绍了半导体元件的制造过程和半导体的制造工艺分类，这周我们要讲的是关于典型PN结隔离的掺金TTL电路的工艺流程，着重讲解的关于光刻的各种注意事项和目的。

典型PN结隔离的掺金TTL电路的工艺流程可分为以下步骤：衬底制备--一次氧化--隐埋层光刻--隐埋层扩散--外延淀积--基热氧化--隔离光刻--隔离扩散--再氧化--基区光刻--基区扩散--再分布及氧化--发射区光刻--背面掺金--发射区扩散--再分布及氧化--接触孔光刻--铝淀积--反刻铝--铝合金--淀积钝化层--压焊块光刻--中测。特地为您绘制了下图更为简洁明了：

那么这一次ASEMI半导体着重要讲解的关于光刻的各种注意事项和目的。首先是首先次光刻，首先次光刻都是采用N+埋层扩散孔的方式，目的是为了减小集电极串联电阻和减小寄生PNP管的影响。ASEMI半导体温馨提醒：这一次光刻要求杂志固浓度大，高温时在si中的扩散系数小，以减小上推，另外还需要注意衬底晶格匹配好，以减小应力。

接下来一节我们会详细给大家讲解另外五次光刻的注意事项和目的等，详情敬请关注ASEMI半导体官网：http://www.asemi88.com

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