摘要：在文章上篇，我们了解了Low VF SKY第二代的产品技术工艺。低压降肖

         特基二极管第三代有采用的LOW VF肖特基芯片制造和成品封装工艺又有何

         高超呢？接下来ASEMI工程师将继续为您分解ASEMI品牌Low VF SKY第三代

         新型工艺。

     Low VF SKY(低压降肖特基二极管）TRENCH工艺分解（第三代）

         ASEMI  Low VF SKY(低压降肖特基）第三代，采用TRENCH先进工艺，简称

     沟槽制造技术。该新型工艺原理是将电场强度转移到沟槽内部，可避免硅表面

     杂质在高温高压状态下形成游离状态，影响肖特基的反压和漏电。该技术能在

     保持VF变低情况下，使得IR更小，VR更高。

      掌握低压降肖特基二极管核心技术--ASEMI
 
        低压降肖特基二极管行业如今发展前景是蓝海一片，该新型产品满足于降

    低压降从而减少自身功率损耗，意味着使得无效损耗更小。同时符合中国节能

    节电的政策向导，追寻行业提倡的节能的潮流，应景这电源制造企业对电

    源的能耗要求。ASEMI品牌已掌握了该核心技术,已经掌握了全系列封装参

    数的低压降肖特基二极管技术.ASEMI品牌！超低VF值！超低IR值！高的开关速度！

    与您就应用技术无缝对接的服务！
   

      ASEMI官方 24小时 技术咨询服务热线：400-9929-667；

    如果您对采购ASEMI品牌元器件有意向，请联系我们的企业QQ咨询：800023533。