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整流桥RCD型吸收电路的优势和开关过电压的保护方法（四）专“芯”让您更放心
发布时间：2015-05-19 14:37 作者：ASEMI-东东 浏览： 次
摘要 : 整流桥RCD型吸收电路，输入电压为 20V，如波形图所示，尖峰电压为 36V。实验表明， RCD吸收电路达到了预期效果，且吸收电阻温度明显低于 RC 吸收电路。
我们在购买时都希望能够买到质量好的产品，只有高质量的产品才能给我们带来安心的感觉。但是你了解其中的工作原理和保护方法吗？
RCD型 吸收电路电容估算方法:
整流桥在电路大负荷时，Ci 的取值要保证在二极管关断时间内能够吸收掉的一部分反冲能量，即在该时间内电容 Ci 电压 uCi 从 us 上升到 uoff。所以有： uoff期望二极管承受的反压 800V。
仍取 uoff=800V，I=50A，所以取 Ci≈0.25"F。R1的取值要确保在二极管 Ci的 1/3 的导通时间内。
整流桥RCD型 吸收电路电容充电过程
假设 VDR1 和 VDR4 导通，uC1=us。当 VDR1 关断时， uC1 （0+）=us，反冲电压向 C1 充电，由于箝位二极管 VDS1 的存在，充电电流从 VDS1 流过，不会经过 R1。充电时的等效电路如图 5b 所示。
可以看出，电感 Lp 的储能全部用来升高 uC1，C1 越小，尖峰电压越大。
整流桥RCD型 吸收电路电容放电过程
全部放电，所以 R1 必须满足： RiCi≤ 13 ton。当 VDR1 再次导通时，C1 通过电源和负载放电，此时 VDR1 截止，通过 R1 导通。当 uC1 降到与 us 相等时，放电完毕，其等效电路图如图 5c 所示。
放电期间，可以认为负载是个恒流源，变压器次级是个恒压源，因此可不计 Lp 对放电的影响，可将其看作是 RCD电路的放电过程。这里取 ton=25"s，所以 Ri≤100/3 Ω ，取 R1=30Ω，图 6 示出实验结果。
输入电压为 20V，如波形图所示，尖峰电压为 36V。实验表明， RCD吸收电路达到了预期，且吸收电阻温度低于 RC 吸收电路。
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