大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号（其中“+”为整流后输出电压的正极，“一”为输出电压的负极，两个“～”为交流电压输入端），很容易确定出各电极。
检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组
成，检测时，可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的正向电阻值大于200kfl，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
总结下整流桥顺坏的原因有如下：
1、整流模块损坏 ，通常是由于电网电压或内部短路引起。在排除内部短路情况下，更换整流桥。
2、逆变模块损坏 ，通常是由于电机或电缆损坏及驱动电路故障引起。
3、上电无显示 ，通常是由于开关电源损坏或软充电电路损坏使直流电路无直流电引起
4、显示过电压或欠电压 ，通常由于输入缺相，电路老化及电路板受潮引起。
5、显示过电流或接地短路通常是由于电流检测电路损坏。如霍尔元件、运放电路等。
6、电源与驱动板启动显示过电流 。通常是由于驱动电路或逆变模块损坏引起。
7、空载输出电压正常，带载后显示过载或过电流 。通常是由于参数设置不当或驱动电路老化，模块 损坏引起过电流保护功能 。
ASEMI品牌整流桥质量稳定，性价比高，被誉为整流行业品牌，品质源于核“芯”，
主要功劳便属内部核心采用的台湾进口GPP芯片，该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能
力能够保证整流桥的输出电流和反向耐压持续稳定
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