低压降肖特基二极管新型工艺分解第三代 【ASEMI】

摘要：在文章上篇，我们了解了Low VF SKY第二代的产品技术工艺。低压降肖

特基二极管第三代有采用的LOW VF肖特基芯片制造和成品封装工艺又有何

高超呢？接下来ASEMI工程师将继续为您分解ASEMI品牌Low VF SKY第三代

新型工艺。

Low VF SKY(低压降肖特基二极管）TRENCH工艺分解（第三代）

ASEMI Low VF SKY(低压降肖特基）第三代，采用TRENCH先进工艺，简称

沟槽制造技术。该新型工艺原理是将电场强度转移到沟槽内部，可避免硅表面

杂质在高温高压状态下形成游离状态，影响肖特基的反压和漏电。该技术能在

保持VF降低情况下，使得IR更小，VR更高。

掌握低压降肖特基二极管核心技术--台湾ASEMI

低压降肖特基二极管行业如今发展前景是蓝海一片，该新型产品满足于降

低压降从而减少自身功率损耗，意味着使得无效损耗更小。同时符合中国节能

节电的政策向导，追寻世界提倡的节能环保的潮流，应景这电源制造企业对电

源的能耗要求。台湾ASEMI品牌已掌握了该核心技术,已经掌握了全系列封装参

数的低压降肖特基二极管技术,并已经批量生产上市.台湾原装进口ASEMI品牌！

超低VF值！超低IR值！高的开关速度！与您就应用技术无缝对接的专业服务！

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