半导体工艺流程是什么样子的？ASEMI半导体为您详解（四）

前面ASEMI半导体花了三节的篇幅为大家介绍了半导体工艺流程的各个细节，本节是接下来的一节一节，ASEMI半导体本节要为您讲述的是剩余的五次光刻的注意事项和目的等。

那么再一次光刻呢，是属于P+隔离扩散孔光刻，隔离扩散的目的是在硅衬底上形成许多孤立的外延层岛，以实现各元件间的电隔离。目前常用的是反偏PN结隔离。

第三次光刻是指P型基区扩散孔光刻，以图给大家展示一下：

第四次光刻是指N+发射区扩散孔光刻，此次光刻还包括集电极、N型电阻的接触孔和外延层的反偏孔：

第五次光刻是指引线接触孔光刻，以图给大家展示一下：

接下来的一节一次光刻也就是第六次光刻是指金属化内连线光刻，同样以图给大家形象展示一下：

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