
在分析整流桥应用原理和保护方法之外,IGBT的选择及热设计也是在PWM开关电源应用中所不可避免的问题。
当电压应力和电流应力这两个直观参数确定之后,需要根据 IGBT在应用条件下的损耗及热循环能力来选定 IGBT。 因使用条件不同,IGBT数据手册给出的参数通常不能确切得出应用条件下 IGBT 的损耗。较好的方法是通过测量来确定其损耗并进行热设计。本文阐述了 IGBT数据手册中测量条件与实际应用环境的差别,并介绍 IGBT损耗的简单测量方法。

IGBT 的参数的定义
图1 和图2 分别是IR 公司和TOSHIBA 公司测量开关时间的电路和定义开关时间的波形。其共同特点是:开通处于续流状态的纯感性负载 ;关断有钳位二极管的纯感性负载。由波形可见,电流上升时间 tr约为 500ns,下降时间 tf约为 300ns。但在数据手册中 ,GA75TS120U的电流升降时间分别为tr=100ns,tf=80ns,与实际工作情况差异较大。

整流桥在PWM开关电源应用的研究仍未结束,欲知后事如何且听下回分解。
24小时客户服务热线:400-9929-667;如果您对整流桥产品有任何疑问,请联系我们
的企业QQ:800023533,或致电以下联系方式:
市场部电话:0755-82812525
销售一部 :0755-66883103
销售二部 : 0755-66883105
销售三部 :0755-66883108
公司传真 :0755-66883107

本文相关产品推荐
整流桥订单骤增LED需求最广,未来照明行业发展的三大趋势分析
整流桥核“芯”工艺再创新,强元芯ASEMI整流桥性能创高峰
整流桥广泛应用于LED领域出口需求增加,加利福尼亚州采用LED路灯替换传统路灯
整流桥劣质危害严重,桥式整流硅堆性能变差时的发射脉冲包络
整流桥知识——桥式整流硅堆正常工作状态下的发射脉冲包络

------ 责任编辑:强元芯电子-文案编辑-1010
版权所有ASEMI官网www.asemi88.com转载请注明出处


D50SB60 ASEMI整流桥 台湾品牌D50SB60
GBPC5006W原装台湾ASEMI整流方桥
2W10整流桥堆,台湾原装ASEMI品牌圆桥
GBJ3510 台湾ASEMI品牌整流桥