低压降肖特基二极管 新型工艺分解第二代 【ASEMI】

摘要：每一代的低压降肖特基二极管采用着不同LOW VF肖特基芯片制造和成品

封装工艺，那么产品更新换代中又有着哪些同工异曲呢？ASEMI工程师为您

分析。

矫矫不群的ASEMI品牌低压降肖特基二极管

首先，我们ASEMI品牌的低压降肖特基二极管，历经五年开发，目前已拥

有三代LOW VF SKY。该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和

快速开关特性，能助您电源产品提升电源开关效率及节能的要求，ASEMI对低压

降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。

Low VF SKY(低压降肖特基二极管）平面MOS工艺分解（第二代）

ASEMI低压降肖特基第二代，采用平面MOS工艺，将MOSFET制造工艺融入

于肖特基芯片制程中，增加芯片晶胞结构的密度，从而克服传统肖特基在VF和

IR在参数上的平衡问题，即保持了传统肖特基的优点，又解决了传统肖特基在

漏电设计上做遇到的屏障。

ASEMI品牌五年来对该技术专研，如今又有着何“芯”突破呢？下篇将为

大家介绍Low VF SKY(低压降肖特基)第三代TRENCH工艺分解。



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