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整流桥发热诱因之采用小芯片与低能效芯片透支实际余量配比【ASEMI】
发布时间：2018-03-21 13:54 作者：ASEMI-周超 浏览： 次
摘要 : 整流桥发热诱因分析出很多种情况，今天给大家重点介绍如果采用小芯片与低能效芯片的整流桥，那么会透支实际余量配比，造成整流桥实际余量不足，而导致发热。
设计电路需要预留足够空间
其实采购的时候通常会遇到相同的一个问题，很多采购会疑问，为什么我采购的整流桥产品GBU406不能应用于实际3、4安培的电路当中，而被供应商告知这颗料只能应用在不超过1.5安培的电路中。为什么?这样的话那我干嘛不买1.5安培的整流桥呢，岂不是花冤枉钱了吗?其实不然，老工程师告诉你为何设计电路时需要预留足够的空间，即便是以业界较好品质为代表的ASEMI半导体也需要预留三分之二的安全空间。
设ASEMI整流桥应用电路该如何计
设计电源产品的时候需要考虑电网功率转化因素、电源转化效率、电源电路中加入放大器，大容量电容会叠加电压、开机瞬间电流电压放大等等方面的因素。所以设计电路选型桥堆产品时，实际电路工作电流不能超过桥堆额定平均最大输出电流的三分之二，即最大不应当超过1.5安培，否则桥堆会因为过载电流太大而发热，进而漏电流会变大，影响电源的转换效率，甚至会出现炸机的情况，给客户带来不必要的损失。
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