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ASEMI半导体桥堆的特性以及应用注意事项

发布时间：2017-09-28 13:51 作者：ASEMI-李航 浏览：次

摘要 : ASEMI 半导体桥堆的优点特性： 1.能耐受高浪涌电流。 2.以前的桥堆反向耐压一般都不高，如今随着高压技术的成熟，现在新技术可以做到高达1000V，以及1600V的产品，市场应用前景

ASEMI半导体桥堆的优点特性：

1.能耐受高浪涌电流。

2.以前的桥堆反向耐压一般都不高，如今随着高压技术的成熟，现在新技术可以做到高达1000V，以及1600V的产品，市场应用前景很广阔。

3.目前市场上常见的桥堆结温分100℃、125℃、150℃、175℃几种(结温越高表示产品抗高温特性越好。即工作在此温度以下不会引起失效)。ASEMI半导体结温均在150℃以上

选择ASEMI半导体桥堆产品应用时需要注意：

1.应小于桥堆的正向额定电流IF.

2.应用电路的峰值工作电压应小于桥堆的反向击穿电压Vrrm.

3.应用电路内的桥堆的实际工作温升应小于桥堆的结温Tjmax.

4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，桥堆应降额使用。

5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。

6.桥堆的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的桥堆正向压降VF和反向击穿电压VR、反向漏电流IR都不同。

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