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低压降肖特基二极管 新型工艺分解第二代 【ASEMI】

发布时间:2018-03-10 15:14 作者:ASEMI-周超 浏览:

摘要 : 低压降肖特基二极工艺技术是怎么样的呢?看看ASEMI工程为您解读最新型工艺的分解,ASEMI专注12年,采用第三代低压降肖特基二极管芯片,性能更稳定。

 




      摘要:每一代的低压降肖特基二极管采用着不同LOW VF肖特基芯片制造和成品

          封装工艺,那么产品更新换代中又有着哪些同工异曲呢?ASEMI工程师为您

          分析。


 

      矫矫不群的ASEMI品牌低压降肖特基二极管

 
           首先,我们ASEMI品牌的低压降肖特基二极管,历经五年开发,目前已拥

     有三代LOW VF SKY。该产品主要专注于对电源转换效率,而达到超低VF值特性和

     快速开关特性,能助您电源产品提高电源开关效率及节能的要求,ASEMI对低压

     降肖特基二极管每一代都有着新突破的技术更新。


 

 

 




      Low VF SKY(低压降肖特基二极管)平面MOS工艺分解(第二代)

           ASEMI低压降肖特基第二代,采用平面MOS工艺,将MOSFET制造工艺融入

     于肖特基芯片制程中,增加芯片晶胞结构的密度,从而克服传统肖特基在VF和

     IR在参数上的平衡问题,即保持了传统肖特基的优点,又解决了传统肖特基在

     漏电设计上做遇到的屏障。

 

 

 

 


 


          ASEMI品牌五年来对该技术专研,如今又有着何“芯”突破呢?下篇将为

     大家介绍Low VF SKY(低压降肖特基)第三代TRENCH工艺分解。




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