本节我们要讲的是i肖特基二极管和TVS二极管：
肖特基二极管(sBD) 肖特基二极管是肖特基势垒二极管(Sehottky Barrier Diode，简称SBD)的简称。足近年来生产 的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时问极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降 仅0.4 V左右，而整流电流却可达到几千安培，这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。 肖特基二极管是用贵重金属(金、银、铝、铂等)为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面 上形成的势垒具有整流特性而制成的金属一半导体器件。 肖特基二极管通常用在高频、大电流、低电压整流电路中 瞬态电压抑制二极管（TVS） 瞬态电压抑制二极管简称T V P管(transient—voltage—suppressor)。它是在稳压管的工艺基础 上发展起来的一种半导体器件，主要应用于对电压的快速过压保护电路中。可广泛用于计算 机、电子仪表、通信设备、家用电器以及野外作业的机载／船用及汽车用电子设备，并可以作 为人为操作引起的过电压冲击或霄电对设备的电击等保护元件。 瞬态电压抑制二极管按照其峰值脉冲功率可以分为四类：50()w、1000W、1500W、5000w。 每类按照其标称电压分为若干种。 瞬态电压抑制二极管在两端电压高于额定值时，会瞬间导通，两端电阻将以极高的速度从高阻 改变为低阻，从而吸收一个极大的电流，将管子两端的电压钳位在一个预定的数值上。
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